Исследование циклической температуры

Новости

ДомДом / Новости / Исследование циклической температуры

Dec 20, 2023

Исследование циклической температуры

Том 13 научных докладов, Номер статьи: 12713 (2023) Цитировать эту статью Подробности о показателях Аэробная и термическая стабильность светодиодов на квантовых точках (QLED) является важным фактором для

Том 13 научных отчетов, номер статьи: 12713 (2023) Цитировать эту статью

Подробности о метриках

Аэробная и термическая стабильность светодиодов с квантовыми точками (QLED) является важным фактором для практического применения этих устройств в суровых условиях окружающей среды. Мы демонстрируем Янтарные QLED, полностью обработанные раствором, с внешней квантовой эффективностью (EQE) > 14% с практически незначительным спадом эффективности и пиковой яркостью > 600 000 кд/м2, что беспрецедентно для QLED, изготовленных в условиях окружающего воздуха. . Мы исследовали эффективность и уровень яркости устройства в диапазоне температур от −10 до 85 °C в 5-ступенчатом цикле охлаждения/нагрева. Мы проводили эксперименты при уровнях яркости выше 10 000 кд/м2, необходимых для наружного освещения. Производительность нашего устройства подтверждает термическую стабильность с минимальным стандартным отклонением рабочих параметров. Интересно, что при возвращении к комнатной температуре параметры эффективности устройства возвращаются к исходным значениям. Изменения характеристик коррелируют с модификацией характеристик переноса заряда и динамикой индуцированной радиационной/безызлучательной релаксации экситонов при различных температурах. Ожидается, что настоящая работа, дополняющая предыдущие исследования по этому вопросу, прольет свет на потенциальную возможность реализации аэробно-стабильных сверхярких QLED без падения яркости и будет стимулировать дальнейшие исследования в области твердотельных осветительных приборов.

Светодиоды с квантовыми точками (QLED) привлекли значительное внимание как в научных кругах, так и в промышленности благодаря своим исключительным оптоэлектронным свойствам, что делает их пригодными для различных электронных устройств1,2,3,4,5,6,7. Например, внешняя квантовая эффективность (EQE)8,9,10,11, уровень яркости12,13 и срок службы14,15,16,17 QLED теперь достигли стандартов для коммерческих дисплеев18. С другой стороны, использование преимуществ люминесцентных коллоидных квантовых точек (КТ) с хорошо спроектированными градуированными многооболочечными конфигурациями, незначительное спад EQE (спад) QLED на высоких уровнях яркости19 может позволить использовать их в наружном освещении, проекции дисплеи и фототерапия19,20,21. Однако из-за таких проблем, как эксплуатационная стабильность, стабильность при хранении и снижение эффективности, надежная высокая яркость, QLED, подходящие для твердотельных систем освещения, все еще далеки от коммерциализации21.

В этом контексте термическая стабильность при высоких уровнях яркости с сохранением эффективности в суровых условиях окружающей среды (т. е. при экстремальных температурах и высоком уровне влажности) является ключевым фактором для систем наружного светодиодного освещения. Защита устройства от кислорода и влаги при высоких уровнях влажности (например, 85 RH) может быть обеспечена с помощью передовых методов инкапсуляции тонкими пленками22, но термическая стабильность светодиодной системы зависит как от собственных, так и от модифицированных характеристик переноса заряда при функциональном переносе заряда. слоев23, а также динамику релаксации экситонов в эмиссионном слое (ЭМС). Ранее было опубликовано несколько исследований характеристик электролюминесценции (ЭЛ) органических светодиодов (OLED) в зависимости от температуры24,25,26, перовскитных светодиодов27,28 и QLED29,30,31. В фокусе настоящей работы, например, M. Zhang et al. исследовали характеристики фотолюминесценции (ФЛ) и ЭЛ своих красных QLED в диапазоне температур 120–300 К, но не проводили эксперименты при температурах выше комнатной температуры (RT)31. Авторы сообщили об увеличении плотности тока и снижении напряжения включения при повышении температуры до RT от минусовой температуры. В исследовании Дж. Юна и др. авторы исследовали зависимость плотности тока от напряжения (JV) своих инвертированных коллоидных QLED на основе Cd при 100–400 К, но не сообщили о параметрах эффективности29. Бисвас и др. внедрили метод с использованием тепла для улучшения EQE и эффективности по току (LE) своих желтых QLED на основе коллоидного CuInS30. Эти авторы заметили, что при увеличении температуры подложки во время распыления слоя транспорта электронов (ETL) ZnO улучшалась инжекция заряда их устройств, что приводило к повышению эффективности. Недавно Сью и др. предположил, что основная причина ЭЛ с повышающим преобразованием (т. е. ЭЛ включения в субзонной зоне), обычно наблюдаемая в QLED, связана с инжекцией заряда с термической поддержкой в ​​результате воздействия на их устройства широкого температурного диапазона. Однако эти авторы проводили свои эксперименты в небольшом диапазоне напряжений (около напряжения включения) и, по-видимому, не исследовали температурную зависимость при высоких уровнях яркости32. Кроме того, следует отметить, что даже без воздействия внешних экстремальных температур рабочая температура QLED при высоких уровнях яркости обычно превышает RT из-за высокого тока, проходящего через устройство, вызывающего джоулев нагрев13,33,34. Поэтому правильное управление температурным режимом имеет решающее значение для долгосрочной стабильности работы сверхярких QLED. Более того, ранее изучалось влияние температуры, электрического поля и положительного старения на производительность устройства. В случае с устройствами QLED межфазные реакции на месте могут повысить эффективность устройства за счет уменьшения утечки заряда. Кроме того, резистивное переключение, достигаемое за счет приложения электрического поля с использованием оксидной ЭТЛ в QLED, приводит к движению кислородных вакансий и образованию проводящих нитей, что вызывает положительное старение в QLED23. Однако сильные электрические поля могут ускорить износ и деградацию материалов QLED, что потенциально влияет на производительность и срок службы устройства. Аналогичным образом, повышенные температуры могут повлиять на эффективность, стабильность и срок службы QLED, что приведет к увеличению энергопотребления, деградации материалов, снижению яркости и потенциальному выходу устройства из строя. Хотя более высокие температуры и электрические поля могут улучшить транспортировку носителей и яркость, они могут сократить срок службы устройства. В исследовании К. Ли и др. было обнаружено, что повышение температуры отжига до 200 ° C улучшает характеристики QLED за счет инъекции усиленных отверстий. Однако дальнейшее повышение температуры привело к снижению эффективности из-за ухудшения инжекции дырок и увеличения скорости инжекции электронов, что привело к накоплению заряда35. З. Чен и др. исследовали влияние HTL и позитивного старения на производительность и срок службы устройства QLED36. Использование осушителя улучшило стабильность слоя транспорта дырок (HTL) в QLED, подавляя положительное старение. И наоборот, устройства без осушителя деградировали быстрее, но демонстрировали положительное старение. Это указывает на компромисс между положительным старением и стабильностью HTL. В целом, положительное старение QLED может быть достигнуто за счет межфазных реакций, резистивного переключения и контролируемых условий эксплуатации, в то время как высокие температуры и электрические поля потенциально могут оказать пагубное влияние на производительность устройства и срок его службы.

 20,000 cd/cm2 at 5 V. Temperature-dependent EL studies have not been reported at such a high brightness level in literature. Figure 4a shows the J-V plots of the QLED at various temperatures. When the device is first cooled down to − 10°C from RT1, the current density declines, but when it equilibrates back to RT2, the current density retrieves almost to its initial value at RT1. In contrast, the current density values of the device shows that the charge transport properties are reinforced at the elevated temperature of 85°C. Owing to thermally-assisted charge injection at elevated temperatures28, the turn-on voltage (Von) reduces from 2.1 V at RT to 1.8 V at 85 °C. The Von was also higher (2.3 V) at − 10°C, due to a reverse effect. In addition to thermally-assisted charge injection, given that the efficiency parameters drop slightly and considering that the brightness increases substantially at 85°C (Fig. 4b), the dramatically increased current density may also be correlated with increased leakage current within the voltage range in our experiments. Specifically, even though the current density at RT3 is lower than that at 85°C, it is still higher compared to its initial value at RT1. Given that the efficiency parameters do not completely return to the values at RT2, this may be due to any plausible minimal physical damage (due to the leakage current) occurring to the polymer HTL in the device structure. Such a physical damage at the HTL/QDs interface has been reported to be one of the main reasons for QLED degradations at high brightness/current density levels49. Another reason could be the thermal fluctuations in the thermal pad and the slight deviation of the temperature from RT2. Nevertheless, in our case, the likely damage to the HTL does not seem to be severe because the efficiency parameters return almost to their initial values at RT after the cooling/heating cycles, indicating thermal stability of the devices within the temperature range. Table 1 summarizes the QLED performance parameters operated in a thermal cycle./p> 98.5%), trimethylammonium chloride (TMACl, > 98%), potassium hydroxide (KOH, 99.99%), dimethyl sulfoxide (DMSO, > 99.9%) magnesium acetate tetrahydrate (99%), zinc acetate dihydrate (> 98%), lithium acetate (99.95%) and 1-butanol (anhydrous, 99.8%) were purchased from Sigma-Aldrich. Zinc acetate anhydrous (+ 99.9%) and ethyl acetate (> 99.5%, ACS certified) were purchased from Thermoscientific. Selenium (Se, 99.999%, metals basis) and oleic acid (90%, technical grade) were purchased from Alfa-Aesar. Octane (+ 99%, extra pure) was purchased from Acros Organics. All the reagents were used as received. Poly(ethylene dioxythiophene): polystyrene sulfonate (PEDOT: PSS) was purchased from Ossila. Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4’-(N-(p-butylphenyl)) diphenylamine)] (TFB) was purchased from American Dye Source. Polyvinylpyrrolidone (PVP10) with an average molecular weight of 10,000 was purchased from Sigma-Aldrich. Patterned ITO-glass substrates with 15 Ω resistance and 25.4 mm × 25.4 mm × 0.7 mm were purchased from Luminescence Technology Corp./p>